分類:半導(dǎo)體膜厚儀 發(fā)布時(shí)間:2024-09-25 1948次瀏覽
本設(shè)備利用反射干涉的原理進(jìn)行無(wú)損測(cè)量,測(cè)量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率,同時(shí)提供樣品反射率,測(cè)量精度達(dá)到埃級(jí)的分辨率,測(cè)量迅速,操作簡(jiǎn)單,界面友好,測(cè)量時(shí)間不到 1 秒??蓱?yīng)用于光阻、半導(dǎo)體材料、高分子材料等薄膜層的厚度測(cè)量,在半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶面板和光學(xué)行業(yè)以及科研院所和高校都得到了廣泛的應(yīng)用和極大的好評(píng)。
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本設(shè)備利用反射干涉的原理進(jìn)行無(wú)損測(cè)量,測(cè)量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率,同時(shí)提供樣品反射率,測(cè)量精度達(dá)到埃級(jí)的分辨率,測(cè)量迅速,操作簡(jiǎn)單,界面友好,測(cè)量時(shí)間不到 1 秒。可應(yīng)用于光阻、半導(dǎo)體材料、高分子材料等薄膜層的厚度測(cè)量,在半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶面板和光學(xué)行業(yè)以及科研院所和高校都得到了廣泛的應(yīng)用和極大的好評(píng)。
產(chǎn)品詳情
反射膜厚儀 HSR-C 技術(shù)參數(shù)
1、HSR-C 規(guī)格:
1) 基本功能:獲取薄膜厚度值以及 R、N/K 等光譜
2) 光譜分析范圍:380nm-1000nm
3) 測(cè)量光斑大?。簶?biāo)準(zhǔn) 1.5mm,較小 0.5mm
4) 膜厚重復(fù)性測(cè)量精度:0.02nm(100nm 硅基 SiO2 樣件,100 次重復(fù)測(cè)量)
5) 膜厚精度:0.2%或 2nm 之間較大者
6) 膜厚測(cè)量范圍:15nm-70μm
7) 測(cè)量 n 和 k 值厚度要求:100nm 以上
8) 單點(diǎn)測(cè)量時(shí)間:≤ 1s
9) 光源:標(biāo)準(zhǔn)鹵燈光源
10) 分析軟件:多達(dá)數(shù)百種的光學(xué)材料常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù),并支持用戶自定義光學(xué)材料庫(kù);提供多層各向同性光學(xué)薄膜建模仿真與分析功能
2、樣品臺(tái)規(guī)格:
1) 基板尺寸:更大支持樣件尺寸到 150*150mm(可升級(jí)定制不同尺寸樣品臺(tái))
3、測(cè)控與分析軟件
1) 光譜測(cè)量能力:反射率光譜測(cè)量
2) 數(shù)據(jù)分析能力:膜厚分析能力,光學(xué)常數(shù)(折射率和消光系數(shù))
3) 支持常用光學(xué)常數(shù)模型以及常用振子模型(柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等);
4) 支持用戶自定義,可授權(quán)離線分析軟件模擬實(shí)際測(cè)量,支持 Windows 10 操作系統(tǒng)
4、設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)(按參數(shù)規(guī)格測(cè)試)
1) 光譜分析波段:380~1000nm
2) 測(cè)量光斑大?。簶?biāo)準(zhǔn) 1.5mm,較小 0.5mm
3) 膜厚重復(fù)性測(cè)量精度:0.02nm(100nm 硅基 SiO2 樣件,100 次重復(fù)測(cè)量)
4) 膜厚精度:0.2%或 2nm 之間較大者
5) 膜厚測(cè)量范圍:15nm-70μm
5、測(cè)控與分析計(jì)算機(jī)
1) 操作系統(tǒng):WIN10 64 位
2) CPU 處理器:Intel 酷睿 I5
3) 內(nèi)存:≥4G
4) 硬盤:≥500G
5) 顯示器:≥19 寸
6、配件
1) 標(biāo)準(zhǔn) SiO2/Si 標(biāo)樣
2) 標(biāo)準(zhǔn)安裝工具一套
7、環(huán)境要求
1) 承載臺(tái):尺寸>1.0m(長(zhǎng))×0.7m(寬),承載能力大于 20Kg
2) 使用溫度范圍:20 ~ 26 ℃
3) 相對(duì)濕度:35% ~ 60% RH
4) 空氣壓力范圍:750~1014 mbar
5) 潔凈度: Class 1000
8、能源要求
1) 供電電源電壓:220V AC
2) 正常頻率范圍:49-51Hz
3) 相電流:有效值小于 0.5A(220V AC)
4) 功率:小于 110 W
9、涂裝與表面處理
1) 涂裝顏色:以黑白灰色為主
2) 表面處理:鍍化學(xué)鎳、陽(yáng)極處理、烤漆等
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