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合肥半導(dǎo)體膜厚儀
合肥半導(dǎo)體反射膜厚儀 HSR-C

分類:半導(dǎo)體膜厚儀 發(fā)布時間:2024-09-25 1958次瀏覽

本設(shè)備利用反射干涉的原理進行無損測量,測量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率,同時提供樣品反射率,測量精度達到埃級的分辨率,測量迅速,操作簡單,界面友好,測量時間不到 1 秒??蓱?yīng)用于光阻、半導(dǎo)體材料、高分子材料等薄膜層的厚度測量,在半導(dǎo)體、太陽能、液晶面板和光學(xué)行業(yè)以及科研院所和高校都得到了廣泛的應(yīng)用和極大的好評。

合肥半導(dǎo)體反射膜厚儀 HSR-C

本設(shè)備利用反射干涉的原理進行無損測量,測量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率,同時提供樣品反射率,測量精度達到埃級的分辨率,測量迅速,操作簡單,界面友好,測量時間不到 1 秒。可應(yīng)用于光阻、半導(dǎo)體材料、高分子材料等薄膜層的厚度測量,在半導(dǎo)體、太陽能、液晶面板和光學(xué)行業(yè)以及科研院所和高校都得到了廣泛的應(yīng)用和極大的好評。

產(chǎn)品詳情

反射膜厚儀 HSR-C 技術(shù)參數(shù)


1、HSR-C 規(guī)格:

1) 基本功能:獲取薄膜厚度值以及 R、N/K 等光譜

2) 光譜分析范圍:380nm-1000nm

3) 測量光斑大?。簶藴?1.5mm,較小 0.5mm

4) 膜厚重復(fù)性測量精度:0.02nm(100nm 硅基 SiO2 樣件,100 次重復(fù)測量)

5) 膜厚精度:0.2%或 2nm 之間較大者

6) 膜厚測量范圍:15nm-70μm

7) 測量 n 和 k 值厚度要求:100nm 以上

8) 單點測量時間:≤ 1s

9) 光源:標準鹵燈光源

10) 分析軟件:多達數(shù)百種的光學(xué)材料常數(shù)數(shù)據(jù)庫,并支持用戶自定義光學(xué)材料庫;提供多層各向同性光學(xué)薄膜建模仿真與分析功能


半導(dǎo)體反射膜厚儀 HSR-C.jpg


2、樣品臺規(guī)格:

1) 基板尺寸:更大支持樣件尺寸到 150*150mm(可升級定制不同尺寸樣品臺)


3、測控與分析軟件

1) 光譜測量能力:反射率光譜測量

2) 數(shù)據(jù)分析能力:膜厚分析能力,光學(xué)常數(shù)(折射率和消光系數(shù))

3) 支持常用光學(xué)常數(shù)模型以及常用振子模型(柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等);

4) 支持用戶自定義,可授權(quán)離線分析軟件模擬實際測量,支持 Windows 10 操作系統(tǒng)


4、設(shè)備驗收標準(按參數(shù)規(guī)格測試)

1) 光譜分析波段:380~1000nm

2) 測量光斑大小:標準 1.5mm,較小 0.5mm

3) 膜厚重復(fù)性測量精度:0.02nm(100nm 硅基 SiO2 樣件,100 次重復(fù)測量)

4) 膜厚精度:0.2%或 2nm 之間較大者

5) 膜厚測量范圍:15nm-70μm


5、測控與分析計算機

1) 操作系統(tǒng):WIN10 64 位

2) CPU 處理器:Intel 酷睿 I5

3) 內(nèi)存:≥4G

4) 硬盤:≥500G

5) 顯示器:≥19 寸


6、配件

1) 標準 SiO2/Si 標樣

2) 標準安裝工具一套


7、環(huán)境要求

1) 承載臺:尺寸>1.0m(長)×0.7m(寬),承載能力大于 20Kg

2) 使用溫度范圍:20 ~ 26 ℃

3) 相對濕度:35% ~ 60% RH

4) 空氣壓力范圍:750~1014 mbar

5) 潔凈度: Class 1000


8、能源要求

1) 供電電源電壓:220V AC

2) 正常頻率范圍:49-51Hz

3) 相電流:有效值小于 0.5A(220V AC)

4) 功率:小于 110 W


9、涂裝與表面處理

1) 涂裝顏色:以黑白灰色為主

2) 表面處理:鍍化學(xué)鎳、陽極處理、烤漆等


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