分類：半導(dǎo)體膜厚儀 發(fā)布時(shí)間：2024-09-25 1965次瀏覽
本設(shè)備利用反射干涉的原理進(jìn)行無(wú)損測(cè)量，測(cè)量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率，同時(shí)提供樣品反射率，測(cè)量精度達(dá)到埃級(jí)的分辨率，測(cè)量迅速，操作簡(jiǎn)單，界面友好，測(cè)量時(shí)間不到 1 秒?？蓱?yīng)用于光阻、半導(dǎo)體材料、高分子材料等薄膜層的厚度測(cè)量，在半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶面板和光學(xué)行業(yè)以及科研院所和高校都得到了廣泛的應(yīng)用和極大的好評(píng)。
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本設(shè)備利用反射干涉的原理進(jìn)行無(wú)損測(cè)量，測(cè)量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率，同時(shí)提供樣品反射率，測(cè)量精度達(dá)到埃級(jí)的分辨率，測(cè)量迅速，操作簡(jiǎn)單，界面友好，測(cè)量時(shí)間不到 1 秒?？蓱?yīng)用于光阻、半導(dǎo)體材料、高分子材料等薄膜層的厚度測(cè)量，在半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶面板和光學(xué)行業(yè)以及科研院所和高校都得到了廣泛的應(yīng)用和極大的好評(píng)。
產(chǎn)品詳情
反射膜厚儀 HSR-C 技術(shù)參數(shù)
1、HSR-C 規(guī)格：
1) 基本功能：獲取薄膜厚度值以及 R、N/K 等光譜
2) 光譜分析范圍：380nm-1000nm
3) 測(cè)量光斑大?。簶?biāo)準(zhǔn) 1.5mm，較小 0.5mm
4) 膜厚重復(fù)性測(cè)量精度：0.02nm（100nm 硅基 SiO2 樣件，100 次重復(fù)測(cè)量）
5) 膜厚精度：0.2%或 2nm 之間較大者
6) 膜厚測(cè)量范圍：15nm-70μm
7) 測(cè)量 n 和 k 值厚度要求：100nm 以上
8) 單點(diǎn)測(cè)量時(shí)間：≤ 1s
9) 光源：標(biāo)準(zhǔn)鹵燈光源
10) 分析軟件：多達(dá)數(shù)百種的光學(xué)材料常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)，并支持用戶自定義光學(xué)材料庫(kù)；提供多層各向同性光學(xué)薄膜建模仿真與分析功能
2、樣品臺(tái)規(guī)格：
1) 基板尺寸：更大支持樣件尺寸到 150*150mm(可升級(jí)定制不同尺寸樣品臺(tái))
3、測(cè)控與分析軟件
1) 光譜測(cè)量能力：反射率光譜測(cè)量
2) 數(shù)據(jù)分析能力：膜厚分析能力，光學(xué)常數(shù)（折射率和消光系數(shù)）
3) 支持常用光學(xué)常數(shù)模型以及常用振子模型（柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等）；
4) 支持用戶自定義，可授權(quán)離線分析軟件模擬實(shí)際測(cè)量，支持 Windows 10 操作系統(tǒng)
4、設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)（按參數(shù)規(guī)格測(cè)試）
1) 光譜分析波段：380~1000nm
2) 測(cè)量光斑大?。簶?biāo)準(zhǔn) 1.5mm，較小 0.5mm
3) 膜厚重復(fù)性測(cè)量精度：0.02nm（100nm 硅基 SiO2 樣件，100 次重復(fù)測(cè)量）
4) 膜厚精度：0.2%或 2nm 之間較大者
5) 膜厚測(cè)量范圍：15nm-70μm
5、測(cè)控與分析計(jì)算機(jī)
1) 操作系統(tǒng)：WIN10 64 位
2) CPU 處理器：Intel 酷睿 I5
3) 內(nèi)存：≥4G
4) 硬盤：≥500G
5) 顯示器：≥19 寸
6、配件
1) 標(biāo)準(zhǔn) SiO2/Si 標(biāo)樣
2) 標(biāo)準(zhǔn)安裝工具一套
7、環(huán)境要求
1) 承載臺(tái)：尺寸>1.0m（長(zhǎng)）×0.7m（寬），承載能力大于 20Kg
2) 使用溫度范圍：20 ~ 26 ℃
3) 相對(duì)濕度：35% ~ 60% RH
4) 空氣壓力范圍：750~1014 mbar
5) 潔凈度： Class 1000
8、能源要求
1) 供電電源電壓：220V AC
2) 正常頻率范圍：49-51Hz
3) 相電流：有效值小于 0.5A（220V AC）
4) 功率：小于 110 W
9、涂裝與表面處理
1) 涂裝顏色：以黑白灰色為主
2) 表面處理：鍍化學(xué)鎳、陽(yáng)極處理、烤漆等
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