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蘇州半導體膜厚儀
蘇州半導體顯微膜厚儀 HSR-M

分類:半導體膜厚儀 發(fā)布時間:2024-09-25 2037次瀏覽

本設備利用反射干涉的原理進行無損測量,測量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率,同時提供樣品反射率,測量精度達到埃級的分辨率,測量迅速,操作簡單,界面友好,搭配顯微成像系統(tǒng),配置兼容六寸的手動樣品臺,可對待測樣品表面的某些微小限定區(qū)域進行測量測量。

蘇州半導體顯微膜厚儀 HSR-M

本設備利用反射干涉的原理進行無損測量,測量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率,同時提供樣品反射率,測量精度達到埃級的分辨率,測量迅速,操作簡單,界面友好,搭配顯微成像系統(tǒng),配置兼容六寸的手動樣品臺,可對待測樣品表面的某些微小限定區(qū)域進行測量測量。

產品詳情

設備精度高達 1 埃,測量穩(wěn)定性高達 0.02nm,測量時間只需一到二秒??蓱糜诠庾?、半導體材料、高分子材料等薄膜層的厚度測量,在半導體、太陽能、液晶面板和光學行業(yè)以及科研院所和高校都得到了廣泛的應用和極大的好評。


測量系統(tǒng)規(guī)格


1、膜厚測頭指標:

1) 基本功能:獲取薄膜厚度值以及 R、N/K 等光譜

2) *光譜范圍:380-900nm

3) 光譜分辨率:小于 1nm(波長間隔)

4) 物鏡標準倍率切換規(guī)格:5×、10×、20×、50×(光纖孔徑:200um)

5) 光斑大?。?um(50X 物鏡)、10um(20X 物鏡)、20um(10X 物鏡)、40um(5X 物鏡)可選(根據配置的物鏡切換光斑大?。?/p>

6) *膜厚量測范圍與倍率關系:20nm-50μm(5X)

20nm~40μm(10X)

20nm~20μm(20X)

20nm~10μm(50X)

7) 測量精度:0.2%和 1nm 較大者(不同倍率一致);

8) 配置 CCD 鏡頭,可定位識別待測區(qū)域

9) *重復性精度:0.02nm(100nm 硅基 SiO2 樣件,100 次重復測量)

10) *厚度擬合算法:至少擁有 Exact,Robust 和 FFT 三種厚度擬合算法

11) 測量 n 和 k 值厚度要求:100nm 以上

12) 單點測量時間:≤1 秒

13) 光源:鎢鹵燈(2000 小時壽命)

14) 基板尺寸:更大支持樣件尺寸到 150*150mm 


半導體顯微膜厚儀 HSR-M.png


2、樣品臺規(guī)格:

1) 可測晶圓大小:4 寸&6 寸

2) 載物臺移動范圍:不小于 150mm? 150mm

3) 手動放片,測量點數跟位置在 Recipe 中可根據需要編輯


3、測控與分析軟件

1) 光譜測量能力:反射率光譜測量

2) 數據分析能力:膜厚分析能力,光學常數(折射率和消光系數)

3) 分析軟件:擁有不小于 100 種不同材料的數據庫,可自由導入新材料文件;

可進行不同鍍膜材料的建模,模擬鍍膜膜系的反射率曲線;軟件界面人性化

設計,測試數據能夠方便的儲存和導出;免費提供針對不同材質測試的 Recipe

程式,并可以新增新材質的 recipe;具有膜厚自校準標定功能,配備相應標

準器;至少 5 個軟件授權許可 License 支持用戶自定義,軟件不限制拷貝數量,

支持 windows 10 操作系統(tǒng)


4、測控與分析計算機

1) 操作系統(tǒng):WIN10 64 位

2) CPU 處理器:Intel 酷睿處理器

3) 內存:≥4G

4) 硬盤:≥500G

5) 顯示器:≥19 寸


5、配件

1) 標準 SiO2/Si 標樣

2) 標準安裝工具一套


6、環(huán)境與能源要求

1) 使用溫度范圍:0 oC - 40 oC

2) 相對濕度:35% ~ 60% RH

3) 空氣壓力范圍:750~1014 mbar

4) 供電電源電壓:220V AC

5) 正常頻率范圍:49-51Hz

6) 相電流:有效值小于 1A(220V AC)


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