分類：半導體膜厚儀 發(fā)布時間：2024-09-25 2032次瀏覽
本設備利用反射干涉的原理進行無損測量，測量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率，同時提供樣品反射率，測量精度達到埃級的分辨率，測量迅速，操作簡單，界面友好，搭配顯微成像系統(tǒng)，配置兼容六寸的手動樣品臺，可對待測樣品表面的某些微小限定區(qū)域進行測量測量。
產(chǎn)品展示 PRODUCT DISPLAY
熱門資訊
聯(lián)系我們
- 蘇州工業(yè)園區(qū)唯新路83號
- 18962209715
- 0512-67625945
- 0512-67629676
本設備利用反射干涉的原理進行無損測量，測量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率，同時提供樣品反射率，測量精度達到埃級的分辨率，測量迅速，操作簡單，界面友好，搭配顯微成像系統(tǒng)，配置兼容六寸的手動樣品臺，可對待測樣品表面的某些微小限定區(qū)域進行測量測量。
產(chǎn)品詳情
設備精度高達 1 埃，測量穩(wěn)定性高達 0.02nm，測量時間只需一到二秒?？蓱糜诠庾琛雽w材料、高分子材料等薄膜層的厚度測量，在半導體、太陽能、液晶面板和光學行業(yè)以及科研院所和高校都得到了廣泛的應用和極大的好評。
測量系統(tǒng)規(guī)格
1、膜厚測頭指標：
1) 基本功能：獲取薄膜厚度值以及 R、N/K 等光譜
2) *光譜范圍：380-900nm
3) 光譜分辨率：小于 1nm(波長間隔）
4) 物鏡標準倍率切換規(guī)格：5×、10×、20×、50×（光纖孔徑：200um）
5) 光斑大?。?um（50X 物鏡）、10um（20X 物鏡）、20um（10X 物鏡）、40um（5X 物鏡）可選（根據(jù)配置的物鏡切換光斑大小）
6) *膜厚量測范圍與倍率關系：20nm-50μm（5X）
20nm~40μm（10X）
20nm~20μm（20X）
20nm~10μm（50X）
7) 測量精度：0.2%和 1nm 較大者（不同倍率一致）；
8) 配置 CCD 鏡頭，可定位識別待測區(qū)域
9) *重復性精度：0.02nm（100nm 硅基 SiO2 樣件，100 次重復測量）
10) *厚度擬合算法：至少擁有 Exact，Robust 和 FFT 三種厚度擬合算法
11) 測量 n 和 k 值厚度要求：100nm 以上
12) 單點測量時間：≤1 秒
13) 光源：鎢鹵燈（2000 小時壽命）
14) 基板尺寸：更大支持樣件尺寸到 150*150mm
2、樣品臺規(guī)格：
1) 可測晶圓大?。? 寸&6 寸
2) 載物臺移動范圍：不小于 150mm? 150mm
3) 手動放片，測量點數(shù)跟位置在 Recipe 中可根據(jù)需要編輯
3、測控與分析軟件
1) 光譜測量能力：反射率光譜測量
2) 數(shù)據(jù)分析能力：膜厚分析能力，光學常數(shù)（折射率和消光系數(shù)）
3) 分析軟件：擁有不小于 100 種不同材料的數(shù)據(jù)庫，可自由導入新材料文件；
可進行不同鍍膜材料的建模，模擬鍍膜膜系的反射率曲線；軟件界面人性化
設計，測試數(shù)據(jù)能夠方便的儲存和導出；免費提供針對不同材質(zhì)測試的 Recipe
程式，并可以新增新材質(zhì)的 recipe；具有膜厚自校準標定功能，配備相應標
準器；至少 5 個軟件授權許可 License 支持用戶自定義，軟件不限制拷貝數(shù)量，
支持 windows 10 操作系統(tǒng)
4、測控與分析計算機
1) 操作系統(tǒng)：WIN10 64 位
2) CPU 處理器：Intel 酷睿處理器
3) 內(nèi)存：≥4G
4) 硬盤：≥500G
5) 顯示器：≥19 寸
5、配件
1) 標準 SiO2/Si 標樣
2) 標準安裝工具一套
6、環(huán)境與能源要求
1) 使用溫度范圍：0 oC - 40 oC
2) 相對濕度：35% ~ 60% RH
3) 空氣壓力范圍：750~1014 mbar
4) 供電電源電壓：220V AC
5) 正常頻率范圍：49-51Hz
6) 相電流：有效值小于 1A（220V AC）
上一篇：沒有了
下一篇：上海半導體反射膜厚儀 HSR-C
