分類：半導體膜厚儀 發(fā)布時間：2024-09-25 1952次瀏覽
本設備利用反射干涉的原理進行無損測量，通過分析薄膜表面反射光和薄膜與基底界面反射光相干涉形成的反射譜，同時搭配 R-Theta 位移臺，兼容 6 到 12 寸樣品，可以對整個樣品進行快速掃描，快速準確測量薄膜厚度、光學常數(shù)等信息，并對于膜厚均勻性做出評價。
產(chǎn)品展示 PRODUCT DISPLAY
熱門資訊
聯(lián)系我們
- 蘇州工業(yè)園區(qū)唯新路83號
- 18962209715
- 0512-67625945
- 0512-67629676
本設備利用反射干涉的原理進行無損測量，通過分析薄膜表面反射光和薄膜與基底界面反射光相干涉形成的反射譜，同時搭配 R-Theta 位移臺，兼容 6 到 12 寸樣品，可以對整個樣品進行快速掃描，快速準確測量薄膜厚度、光學常數(shù)等信息，并對于膜厚均勻性做出評價。
產(chǎn)品詳情
半導體反射膜厚儀 HSR-Mapping 技術參數(shù)
1、HSR-Mapping 規(guī)格：
1) 基本功能：獲取薄膜厚度值以及 R、N/K 等光譜
2) 光譜分析范圍：380nm-1000nm
3) 測量光斑大?。?lt;1.5mm
4) 膜厚重復性測量精度：0.02nm（100nm 硅基 SiO2 樣件，100 次重復測量）
5) 膜厚精度：0.2%或 2nm 之間較大者
6) 膜厚穩(wěn)定性：優(yōu)于 0.05nm
7) 膜厚測量范圍：15nm~70um
8) 測量 n 和 k 值厚度要求：100nm 以上
9) 樣品臺：自動化 R-Theta 移動平臺，樣品臺直徑不小于 300mm
10) *測試方式：任意多點自動化測試，生成厚度 Mapping 圖（1.圓形/方形，2.放射形，3.中心或邊緣排除，4.定制（按樣品需要編輯坐標點））
11) *測試速度（含有真空夾盤）：5 個點 5 秒,25 個點 20 秒,57 個點 56 秒
12) 光源：標準鹵素光源（壽命 2000 小時）
13) 反射率模擬：可進行不同鍍膜材料的建模，模擬鍍膜膜系的反射率曲線
14) 分析軟件：多達數(shù)百種的光學材料常數(shù)數(shù)據(jù)庫，并支持用戶自定義光學材料庫；提供多層各向同性光學薄膜建模仿真與分析功能
2、樣品臺規(guī)格：
1) 可測晶圓大?。? 寸 & 6 寸 & 8 寸& 12 寸
2) 晶圓固定方式：真空吸附
3) 載物臺移動范圍：不小于 300mm? 300mm
4) 支持手動放片，自動 mapping 測量，測量點數(shù)跟位置在 Recipe 中可根據(jù)需要編輯
3、測控與分析軟件
1) 光譜測量能力：反射率光譜測量
2) 數(shù)據(jù)分析能力：膜厚分析能力，光學常數(shù)（折射率和消光系數(shù)）
3) 軟件使用 Windows 平臺，設置不同級別的用戶登錄，如（Manager/Operator）等：別用戶可以修改 Recipe；Operator 只能運行已有的 Recipe
4) 以文字或圖形的方式顯示當前正在運行的 Recipe 名、測量位置編號、剩余時間等參數(shù)
5) 軟件具有歷史記錄功能，可存儲歷史記錄文件
6) 軟件可以根據(jù)需求設備測量點數(shù)
7) 可以生成 2D 或者 3D 圖形
8) 繪圖功能：Mapping（contour），Line 等
9) 統(tǒng)計功能：Max, Min, Average, Median, STD 等
10) 輸出數(shù)據(jù)形式可定制，格式為 CSV 或 EXCEL 格式
4、測控與分析計算機
1) 操作系統(tǒng)：WIN10 64 位
2) CPU 處理器：Intel 酷睿 I5
3) 內(nèi)存：≥4G
4) 硬盤：≥500G
5) 顯示器：≥19 寸
5、配件
1) 標準 SiO2/Si 標樣
2) 標準安裝工具一套
6、環(huán)境要求
1) 承載臺：尺寸>1.0m（長）×0.7m（寬），承載能力大于 30Kg（建議光學隔振）
2) 使用溫度范圍：20 ~ 26 ℃
3) 相對濕度：35% ~ 60% RH
4) 空氣壓力范圍：750~1014 mbar
5) 潔凈度： Class 1000
7、能源要求
1) 供電電源電壓：220V AC
2) 正常頻率范圍：49-51Hz
3) 相電流：有效值小于 0.5A（220V AC）
4) 功率：小于 400 W
8、涂裝與表面處理
1) 涂裝顏色：以灰白色為主
2) 表面處理：鍍化學鎳、陽極處理、烤漆等
上一篇：廣東半導體反射膜厚儀 HSR-C
下一篇：沒有了
